PROF. NİZAMİ HASANLİ

Thermally stimulated current study of traps distribution in TlGaSeS layered single crystals TlGaSeS tek kristallerde tuzak dağılımlarının ısıl uyarılmış akım çalışması

Katkılanmamış TlGaSeS katmanlı tek kristallerindeki tuzak seviyeleri ve dağılımları ısıluyarılmış akım ölçümleri kullanılarak gerçekleştirildi. Araştırmalar 10?160 K sıcaklık aralığında ve 0.6?1.2 K/s aralığındaki çeşitli ısıtma hızları ile yapıldı. Deneysel veriler aktivasyon enerjileri 12, 20 ve 49 meV olan üç elektron ve aktivasyon enerjisi 12 meV olan bir deşik tuzak merkezinin bulunduğunu gösterdi. Bu tuzak seviyelerinin yakalama kesit alanları ve tuzak yoğunlukları bulundu. Deneysel sonuçlar ile yavaş geri tuzaklanmaya ait teorik öngörülerin uyumlu olması bu tuzak seviyelerinde geri tuzaklanmanın ihmal edilebilir olduğunu gösterdi. TlGaSeS katmanlı tek kristallerinin optiksel özellikleri 400?1100 nm dalgaboyu aralığında gerçekleştirilen geçirgenlik ve yansıtıcılık ölçümleri ile araştırıldı. Oda sıcaklığındaki emilme verilerinin analizleri sonucunda optiksel dolaylı bant geçiş enerjisi 2.27 meV ve doğrudan bant geçiş enerjisi 2.58 meV olarak bulundu. 10?300 K sıcaklık aralığında gerçekleştirilen geçirgenlik ölçümleri sonucunda dolaylı bant aralığının sıcaklık ile değişim oranı bulundu. Ayrıca titreşim ve dağılma enerjileri, titreşim büyüklüğü ve sıfır frekans kırılma indisi belirtildi. TlGaSeS kristalinin monoklinik birim hücre parametreleri ve kimyasal bileşimi X-ışını toz difraksiyon çalışması ve enerji dağılımlı spektrum analizi ile belirlendi.